机译:具有深蚀刻台面的InGaN QW激光器的横向载流子限制和阈值电流减小
Georgia Institute of Technology, Atlanta, Georgia 30332, USA;
Georgia Institute of Technology, Atlanta, Georgia 30332, USA;
edge emitting laser diode; deeply etched mesa; sidewall passivation; surface recombination velocity;
机译:具有深蚀刻台面的InGaN QW激光器的横向载流子限制和阈值电流减小
机译:基于InP的垂直腔激光器中的横向电流和光学限制的选择性蚀刻隧道结
机译:采用三层交错QW的IngaN发光二极管改进了载体限制和分布
机译:具有深蚀刻台面的GaN QW激光器的横向载流子限制和阈值电流减小
机译:通过选择性混合,将载流子横向限制在垂直腔激光器中。
机译:通过InGaN / GaN多量子阱发光二极管中的石墨烯透明导电电极以良好的电流扩散特性增强载流子传输和载流子捕获
机译:由于深层间结构,GaAs / Algaas量子级联激光器的阈值电流降低
机译:InGaN激光器中阈值电流密度的量子阱宽度依赖性;应用物理快报