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次世代低消費電力磁気メモリ素子開発に道を拓く

机译:为下一代低功耗磁存储设备的开发铺平道路

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摘要

理化学研究所、東京大学、物質・材料研究機構の研究チームは、らせん磁性体でおるFeGeを用いたマイクロ素子中に、電子スピンが渦巻状に並ぶスキルミオン結晶を生成し、強磁性体中の磁壁を駆動するのに必要な電流の10万分の1以下という微小電流密度で、スキルミオン結晶を駆動することに成功した。これにより、磁気的な情報担体の状態を、極めて低い消費電力で電気的に操作する技術の実現に向けて有効な指針を得ることができた。
机译:东京大学理化学研究所和日本国立材料科学研究所的研究团队使用微电子器件FeGe(螺旋磁铁)在一个微型器件中产生了一种天旋石晶体,其中电子自旋以螺旋状排列。我们成功地驱动了Skyrmion晶体,其微小电流密度小于驱动畴壁所需电流的1 / 100,000。结果,可以获得用于实现以极低的功耗电操作磁信息载体状态的技术的有效指南。

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  • 来源
    《OPTCOM》 |2012年第9期|p.17|共1页
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