机译:高达150 MeV的〜232Th的中子和质子截面评估
机译:使用中子活化技术在中子能量13.5、15.5和17.28 MeV下测量232Th(n,γ)和232Th($ {n},{2n} $)截面
机译:使用中子活化技术在中子能量13.5、15.5和17.28 MeV下测量232Th(e?'?,????)和232Th(e?'?,????)?和232Th(e?'?)?
机译:用中子活化法测量中子能量为14.1 MeV和14.8 MeV时的232Th(n,2n)231Th反应截面
机译:研究几个MeV至50 MeV之间的SRAM的中子和质子SEU横截面
机译:从50到300 MEV的SULFUR-32(γ,中子-质子)磷30截面的性质。
机译:CVD金刚石至70meV质子快节中子和200meV接头的辐射耐受性研究
机译:在0.06至2 meV的能量范围内,中子辐射捕获截面为232Th
机译:用于入射中子和质子的核数据库为ENDF-6格式的150 meV