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机译:SiGe中空位配合物的正电子an没光谱
Laboratory of Physics, Helsinki University of Technology, P.O. Box 1100, FIN-02015 HUT, Finland;
SiGe; vacancy; E-center; positron annihilation spectroscopy;
机译:Si和SiGe中氟空位络合物的正电子an没研究
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机译:不同化学计量比偏差下CdTe:Cl和CdZnTe:Ge的空位相关缺陷的正电子spec没光谱
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