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机译:低噪声硅JFET的深浅缺陷中心的温度特性
Dipartimento di Fisica, INFN, Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, Universita degli Studi di Milano-Bicocca, P. za della Scienza 3, Milano 20126, Italy;
low noise transistors; noise; low temperature operation; cryogenic electronics; JFET;
机译:具有不同同位素组成的硅中浅和深供体中心的电子自旋弛豫
机译:硅中的质子注入:深浅缺陷状态的演变
机译:通过电测量表征未掺杂的Ge1-xSnx外延层中的浅层和深层缺陷
机译:N〜+ Cds / P - Cdte薄膜太阳能电池中电学表征的温度依赖性 - 浅/深缺陷的研究
机译:碳化硅中缺陷中心的低温光致发光研究。
机译:基于低温浅磷掺杂的径向p-n结硅纳米线太阳能电池的实现
机译:碳化硅缺陷中心的低温光致发光研究