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机译:Cd(x)Hg1-x Te异质外延结构上具有格雷码的光敏电阻,热电冷却光谱范围为2-11μm
JSC Shvabe Photosyst, Dnepropetrovskii Proezd 4a, Moscow 117545, Russia;
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photoresistor; Gray code; cadmium-mercury-telluride; thermoelectric cooling; signal; noise;
机译:由分子束外延获得的异质外延CdHgTe结构制成的光谱范围为8-12μm的光敏电阻的长期稳定性
机译:具有电荷载体排除的光致抗蚀剂,用于8-16-mu m光谱范围,由n-cdxhg1-xte异质轴结构制成
机译:基于分子束外延获得的CdxHg1-xTe异质外延结构的2-15μm光谱范围的光敏电阻
机译:电离辐射对CoD_XHG_(1-X)TE基础光致抗蚀剂基础特性的影响
机译:频谱相位编码的光码分多址(O-CDMA)系统和频谱逐行脉冲整形。
机译:DCDC2多态性与发育过程中左侧颞顶灰色和白色物质结构相关
机译:研究HG1-X CDX TE合金的结构
机译:用于高ZT热电冷却装置的Bi2Te3 / sb2Te3超晶格结构