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SiC/GaNを生かす独創技術早大•巽研究室が最優秀賞に

机译:利用早稻田大学SiC / GaN的原创技术•达见实验室荣获最高奖项

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摘要

日経エレクトロニクス(NE)は、2019年10月に「NE主催パワー·エレクトロニクス·ァワード2019」の最優秀賞を決める審査会を開催した。同ァワードは、国内の大学や高等専門学校(高専)の理工系研究室とエレクトロニクス分野のスタートアップ企業の研究開発を応援する「NEイノベーション·アワード」の一環だ。今回も対象はパワーエレクトロニクス分野である。最優秀賞の候補は6つの研究グループ。未来を切り開くのはどの研究成果か。6人の審査員による妥協なき議論の末、最優秀賞と審査員特別賞が決定した。白熱した審査会の様子を報告する。(日経エレクトロニクス)
机译:2019年10月,日经电子(NE)举行了一场甄选会议,以确定“ NE赞助的Power Electronics Award 2019”的最高奖项。该奖项是“ NE创新奖”的一部分,该奖项旨在支持国内大学和技术学院(技术学院)的科学与工程实验室以及电子领域的初创公司的研发。这次的目标也是电力电子领域。六个研究小组是最高奖项的候选人。哪些研究成果将开辟未来?经过六位评委的不懈讨论,最终决定了大奖和评审团特别奖。我将报告备考委员会的状态。 (日经电子)

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