耐圧20kV超のSiC製ダイオード京都大学が試作

摘要

京都大学工学研究科電子工学専攻教授の木本恒暢民らの研究グループは、耐圧が21．7kVと高いSiC製PINダイオードを試作し、パワー半導体素子の国際学会「ISPSD2012」で発表した。20kVを超える半導体素子を試作したのは今回が初めて。「世界最高の値」（木本氏）とする。