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Verilog-A Device Models for Cryogenic Temperature Operation of Bulk Silicon CMOS Devices

机译:用于体硅CMOS器件低温运行的Verilog-A器件模型

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摘要

Verilog-A based cryogenic bulk CMOS (complementary metal oxide semiconductor) compact models are built for state-of-the-art silicon CMOS processes. These models accurately predict device operation at cryogenic temperatures down to 4 K. The models are compatible with commercial circuit simulators. The models extend the standard BSIM4 [Berkeley Short-channel IGFET (insulated-gate field-effect transistor ) Model] type compact models by re-parameterizing existing equations, as well as adding new equations that capture the physics of device operation at cryogenic temperatures. These models will allow circuit designers to create optimized, reliable, and robust circuits operating at cryogenic temperatures.
机译:基于Verilog-A的低温体CMOS(互补金属氧化物半导体)紧凑型模型是针对最新的硅CMOS工艺而构建的。这些模型可以准确地预测设备在低至4 K的低温下的运行情况。这些模型与商用电路模拟器兼容。这些模型通过重新参数化现有方程式,以及添加新的方程式来捕获低温条件下器件工作的物理特性,从而扩展了标准BSIM4 [Berkeley短沟道IGFET(绝缘栅场效应晶体管)模型]型紧凑型模型。这些模型将使电路设计人员能够创建在低温下工作的优化,可靠和坚固的电路。

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  • 来源
    《NASA Tech Briefs》 |2012年第6期|p.66|共1页
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  • 正文语种 eng
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