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机译:正电子化法制备ZnO纳米粒子中的Mn替代效应及相关缺陷
∗Department of Physics, University of BurdwanGolapbag, Burdwan 713104, India†Saha Institute of Nuclear Physics1/AF Bidhannagar, Kolkata 700064, India‡Central Mechanical Engineering Research Institute(Council of Scientific and Industrial Research)Durgapur 713209, India;
ZnO; nanoparticles; doping; substitutional effects; defects; positron annihilation;
机译:正电子NI没法研究ZnO纳米粒子中的Mn替代作用及相关缺陷
机译:正电子ni没研究单晶ZnO纳米锥中Mn取代下的空位型缺陷及其演化
机译:用正电子an没和Mossbauer光谱研究Li0.25Mg0.5Mn0.1Fe2.15-xInxO4中In3 +的置换效应和缺陷分布
机译:通过正电子湮灭研究的ZnO中的电子照射诱导的缺陷
机译:飞行时间正电子an灭诱导的俄歇电子能谱研究了真空退火下6H-碳化硅的表面改性。
机译:掺有稀土元素Er3 +的碲化物玻璃70TeO2-5XO-10P2O5-10ZnO-5PbF2(X = MgBi2Ti)的正电子ni没寿命光谱法测量缺陷结构
机译:正电子an灭研究生长和电子辐照ZnO中缺陷的热演化