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Process Technologies Enable Performance Leaps

机译:工艺技术助力性能飞跃

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摘要

In microwave as well as more general areas of engineering, integration holds the key to meeting the simultaneous demands of smaller size, higher performance, and time to market. For semiconductor manufacturers, this means a continuous progression to smaller circuits. To support high-frequency applications, electronics manufacturers also must rely on a variety of process technologies and approaches. Beyond the chip itself, a plethora of process technologies exist for amplifiers and other components. Although technologies like CMOS and gallium arsenide (GaAs) continue to be viable options, process engineers are continuously developing solutions based on technologies like gallium nitride (GaN), indium phosphide (InP),and proprietary device- and circuit-level approaches.
机译:在微波以及更广泛的工程领域中,集成是满足同时满足更小尺寸,更高性能和上市时间要求的关键。对于半导体制造商而言,这意味着不断向更小电路发展。为了支持高频应用,电子制造商还必须依靠各种处理技术和方法。除了芯片本身以外,还存在大量用于放大器和其他组件的处理技术。尽管CMOS和砷化镓(GaAs)等技术仍然是可行的选择,但工艺工程师仍在不断开发基于氮化镓(GaN),磷化铟(InP)和专有的器件级和电路级方法的解决方案。

著录项

  • 来源
    《Microwaves & RF》 |2009年第2期|28323436|共4页
  • 作者

    NANCY FRIEDRICH;

  • 作者单位
  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

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