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Has GaN Pushed LDMOS into Irrelevance?

机译:GaN是否将LDMOS推向了无关紧要的境地?

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摘要

Back in July 2015, I wrote a column titled "GaN Taking Control" that discussed the increasing utilization of gallium-nitride (GaN) technology. Today, no one can question the impact that GaN technology has had on the RF/microwave industry. But with GaN receiving so much attention, where does this leave laterally diffused metal-oxide semiconductor-LDMOS-technology? Has LDMOS been completely pushed aside?LDMOS technology has dominated the wireless infrastructure arena, but is that changing? The answer to that question is yes-at least, according to a recent article titled, "Realizing 5G Sub-6-GHz Massive MIMO Using GaN." The authors, Qorvo's David Schnaufer and Bror Peterson, point out that "high output power, linearity, and power-consumption requirements are pushing base-station and network original equipment manufacturers (OEMs) to switch from using LDMOS technology for power amplifiers (PAs) to gallium nitride (GaN)."
机译:早在2015年7月,我写了一篇标题为“ GaN的控制权”的专栏,讨论了氮化镓(GaN)技术利用率的提高。今天,没有人可以质疑GaN技术对RF /微波行业的影响。但是,随着GaN受到如此多的关注,这会在哪里留下横向扩散的金属氧化物半导体-LDMOS技术? LDMOS技术是否已被完全抛在一边?LDMOS技术已主导了无线基础设施领域,但是这种趋势正在改变吗?根据题为“使用GaN实现5G Sub-6 GHz大规模MIMO”的最新文章,该问题的答案至少是肯定的。 Qorvo的David Schnaufer和Bror Peterson的作者指出,“高输出功率,线性度和功耗要求正在推动基站和网络原始设备制造商(OEM)转变为将LDMOS技术用于功率放大器(PA)。氮化镓(GaN)。”

著录项

  • 来源
    《Microwaves & RF》 |2019年第1期|13-13|共1页
  • 作者

    CHRIS DeMARTINO;

  • 作者单位
  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

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