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机译:MOSFET技术构建的CDMA功率放大器的设计优势
Hitachi Semiconductor (America) Inc. San Jose, CA;
机译:微波Doherty功率放大器的设计方法及其在Si功率MOSFET放大器中的应用
机译:与GaN HFET相比,GaN MOSFET的基本设计优势在于功率应用
机译:适用于2.1 GHz功率放大器应用的高功率硅RF LDMOSFET技术
机译:采用0.5μmpHEMT技术的具有自适应偏置控制和内置线性化器的MMIC E类功率放大器的设计
机译:双极结型晶体管,MOSFET,功率运算放大器和真空管音频功率放大器设计的比较。
机译:用于高频脉冲回波仪表的高压功率放大器的功率MOSFET线性化器
机译:集成DC-DC转换器设计,用于改善siGe BiCmOs技术中的WCDma功率放大器效率