首页> 外文期刊>Microwave Journal >GaAs MMIC Diode Technology Enables High Linearity and Low Power
【24h】

GaAs MMIC Diode Technology Enables High Linearity and Low Power

机译:GaAs MMIC二极管技术可实现高线性度和低功耗

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
获取外文期刊封面目录资料

摘要

In this article, we discuss MMIC mixers designed using high performance GaAs Schottky diodes. Compared to fixed Schottky diode options already on the market, we describe, for the first time, GaAs diodes with forward voltages ranging from 0.29 to 0.9 V. These diodes enable new Circuit capabilities previously not possible in GaAs diode circuits. A state-of-the-art MMIC mixer has been developed and new performance characteristics demonstrated, including low LO drive for power sensitive applications and high LO drive for high linearity applications.
机译:在本文中,我们讨论了使用高性能GaAs肖特基二极管设计的MMIC混频器。与市场上已有的固定肖特基二极管选件相比,我们首次描述了正向电压范围为0.29至0.9 V的GaAs二极管。这些二极管实现了以前在GaAs二极管电路中无法实现的新电路功能。已经开发出最先进的MMIC混频器并展示了新的性能特征,包括针对功率敏感型应用的低LO驱动和针对高线性度应用的高LO驱动。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号