机译:GaAs MMIC二极管技术可实现高线性度和低功耗
Marki Microwave, Morgan Hill, CA 95037 USA;
TB Engn, Santa Rosa, CA USA;
Global Commun Semicond, Torrance, CA USA;
Global Commun Semicond, Torrance, CA USA;
Global Commun Semicond, Torrance, CA USA;
Global Commun Semicond, Torrance, CA USA;
机译:具有集成二极管线性化器的HBT MMIC功率放大器,适用于低压便携式电话应用
机译:具有集成二极管线性化器的HBT MMIC功率放大器,适用于低压便携式电话应用
机译:Ingaas MHEMT技术的宽带300 GHz功率放大器MMIC
机译:GaAs pHEMT技术中具有二极管预失真功能的高线性度宽带增益模块/ LNA MMIC
机译:氮化铝镓/氮化镓HEMT技术中的高线性度和高效率RF MMIC功率放大器。
机译:基于GaAs MMIC中双热流路径的n + GaAs / AuGeNi-Au热电偶型RF MEMS功率传感器
机译:DC-25 GHz和低损耗MEMS热电电源传感器,基于GaAs MMIC技术,具有浮动热块和可靠的背腔
机译:Gaas变容二极管mmIC(单片微波集成电路)制造技术