机译:在65-NM CMOS中采用基于双分流元素的Gmax-Core的250-GHz 12.6-DB增益和3.8 dBm PSAT功率放大器
Korea Adv Inst Sci & Technol Dept Elect Engn Daejeon 305701 South Korea;
Korea Adv Inst Sci & Technol Dept Elect Engn Daejeon 305701 South Korea|IMEC B-3001 Leuven Belgium;
Korea Adv Inst Sci & Technol Dept Elect Engn Daejeon 305701 South Korea;
Korea Adv Inst Sci & Technol Dept Elect Engn Daejeon 305701 South Korea;
Korea Adv Inst Sci & Technol Dept Elect Engn Daejeon 305701 South Korea;
CMOS; H-band; maximum achievable gain (G(max)); power amplifier (PA);
机译:通过采用同时噪声和输入匹配的Gmax-Core,通过65-NM CMOS中的D波高增益和低功耗LNA
机译:具有65nm CMOS技术的15.2 dBm Psat和20.3 dB增益的109 GHz CMOS功率放大器
机译:一种V波段功率放大器,采用65nm CMOS技术,具有23.7dBm的输出功率,22.1%的PAE和29.7dB的增益
机译:一个基于65nm CMOS的Colpitts振荡器拓扑的0.5V 2.5GHz高增益低功率可再生放大器
机译:低功耗,低电压,全差分CMOS可变增益放大器。
机译:具有锁模结构的2.4 GHz CMOS功率放大器可增强增益
机译:A 25.1 DBM 25.9-DB增益25.4%PAE X波段功率放大器利用65-NM CMOS中的电压组合变压器