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机译:0.18- / spl mu / m SiGe BiCMOS中的谐波注入锁定分频器
BiCMOS integrated circuits; Ge-Si alloys; frequency dividers; high-speed integrated circuits; 0.18 micron; 3.6 V; 350 MHz; 50 mW; 59.77 to 60.12 GHz; BiCMOS process; SiGe; divide-by-four frequency division; harmonic injection locked frequency divider; high speed appl;
机译:0.18- / splμm/ m SiGe BiCMOS工艺中用于ESD保护设计的低泄漏深沟道二极管的特性
机译:0.18- / splμ/ m的RF SiGe BiCMOS技术和无集电极的双多晶硅自对准HBT
机译:适用于SONET OC-768传输系统的0.18- / spl mu / m SiGe BiCMOS接收器和发射器芯片组
机译:在0.25- / spl mu / m和0.18- / spl mu / m的2 GHz频率下的低噪声放大器比较RF-CMOS和SiGe BiCMOS
机译:用于光通信变送器的SiGe BICMOS集成电路=光学通信变送器的SiGe BICMOS集成电路
机译:注入锁定单频多芯掺b磷酸盐光纤激光器
机译:采用0.18- / spl mu / m CMOS的5.2-GHz RF功率采集器,用于植入式眼压监测