机译:具有6.7–8.3 dBm输出功率的280–310 GHz InAlAs / InGaAs mHEMT功率放大器MMIC
Fraunhofer Inst Appl Solid State Phys, D-79108 Freiburg, Germany;
Fraunhofer Inst Appl Solid State Phys, D-79108 Freiburg, Germany;
Fraunhofer Inst Appl Solid State Phys, D-79108 Freiburg, Germany;
Fraunhofer Inst Appl Solid State Phys, D-79108 Freiburg, Germany;
Fraunhofer Inst Appl Solid State Phys, D-79108 Freiburg, Germany;
Fraunhofer Inst Appl Solid State Phys, D-79108 Freiburg, Germany;
Karlsruhe Inst Technol, Inst Radio Frequency Engn & Elect, D-76131 Karlsruhe, Germany;
mHEMT; power amplifier (PA); submillimeter wave;
机译:Ingaas MHEMT技术的宽带300 GHz功率放大器MMIC
机译:基于功率放大器单元,SiGe中PAE为31%的,输出功率为30.8 dBm的宽带20至28 GHz信号发生器MMIC
机译:一个94GHz 130mW InGaAs / InAlAs / InP HEMT大功率MMIC放大器
机译:144 GHz功率放大器MMIC,具有11 dBm的输出功率,10 dB的相关增益和10%的功率附加效率
机译:使用SiC HEMT器件上的GaN的3.6 GHz Doherty功率放大器,其饱和输出功率为40 dBm。
机译:大功率生长健壮的InGaAs / InAlAs太赫兹量子级联激光器
机译:宽带20至28GHz信号发生器mmIC,输出功率为30.8dBm,基于功率放大器单元,siGe为31%paE
机译:采用InGaas / Inalas HEmT的新一代mmIC放大器。