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Chip industry looks for solutions to slow start for low-k materials

机译:芯片行业寻求低速材料低启动速度的解决方案

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摘要

At this point in the development of production-worthy low-k dielectric materials, it's difficult to determine which is more prevalent: the breakthrough announcements or the public misgivings. Around the same time that Novellus Systems hints at a major advancement, the chief technical officer of the process equipment manufacturer complains during a Semi-con West conference that IC designers won't see the advantages touted by the materials' champions. Wilbert van den Hoek says that integrating low-k materials has proved more daunting and less beneficial at the lower dielectric constants than expected. The hard work "isn't buying us anything," he warns. In fact, low-k film has been an abject failure at the 130-nm node, van den Hoek insists.
机译:在开发适合生产的低k介电材料时,很难确定哪种更普遍:突破性声明或公众的疑虑。在Novellus Systems暗示取得重大进展的同时,过程设备制造商的首席技术官在Semi-con West会议上抱怨说,IC设计师不会看到材料冠军所吹捧的优势。威尔伯特·范·登·霍克(Wilbert van den Hoek)表示,与低介电常数相比,集成低k材料在降低介电常数方面被证明更具挑战性,而效益却更低。他警告说,艰苦的工作“没有给我们买任何东西”。实际上,van den Hoek坚持认为,低k膜在130 nm节点上是一个失败的失败。

著录项

  • 来源
    《Micro》 |2003年第7期|p.18-22|共5页
  • 作者

  • 作者单位
  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 环境科学、安全科学;
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 00:10:50

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