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Meeting the Nanoscale Device Fabrication Challenge

机译:应对纳米器件制造挑战

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摘要

Over the past year, many chip manufacturers have introduced their 90-nm process technologies and ramp plans, and several have begun volume production. Crossing the 100-nm line marks the entry into nanometer-scale devices, a world where various second-order effects become major technology issues. These new challenges have started to dominate device behavior and have a negative impact on fabrication. A few of these problems have emerged as serious integration limiters, threatening to diminish the performance benefits that device scaling has provided up to this point.
机译:在过去的一年中,许多芯片制造商推出了他们的90纳米制程技术和扩展计划,其中一些已经开始批量生产。跨越100纳米线标志着进入纳米级器件的时代,在这个世界中,各种二阶效应成为主要技术问题。这些新挑战已开始主导器件性能,并对制造产生负面影响。这些问题中有一些已经成为严重的集成限制因素,有可能削弱设备扩展到目前为止所提供的性能优势。

著录项

  • 来源
    《Micro》 |2005年第1期|p.7069|共2页
  • 作者

    Bijan Moslehi;

  • 作者单位

    The Noblemen Group;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 环境科学、安全科学;
  • 关键词

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