...
机译:微米和纳米图案蓝宝石衬底上发光二极管的光提取效率的数值模拟
Yeungnam University, Republic of Korea;
III-V semiconductors; finite difference time-domain analysis; gallium compounds; light emitting diodes; semiconductor device models; wide band gap semiconductors; Alsub2/subOsub3/sub; GaN; LED; cone-shaped patterns; gallium nitride-based light-emitting diodes; geometrical parameters; hexagonal arrays; light-extraction efficiencies; micropatterned sapphire substrates; nanopatterned sapphire substrates; numerical simulations; pattern array pitch; pattern fill factor; pattern height; three-dimensional finite-difference time-domain method;
机译:纳米蓝宝石衬底的GaN基发光二极管的光提取效率分析
机译:高性能基于GaN的发光二极管的蓝宝石衬底处理:蓝宝石衬底的微图案化及其对基于GaN的发光二极管中光增强的影响
机译:通过UVC发光二极管的高温退火改善纳米图案蓝宝石衬底上的AlN晶体质量和应变管理
机译:不同衬底条件下GaN基发光二极管的光提取行为;纳米级和微米级蓝宝石衬底?
机译:GaN基发光二极管上的光学功能结构,用于提高光提取效率和控制发射模式。
机译:蓝宝石衬底上具有反应性等离子体沉积AlN成核层的GaN基紫外发光二极管的效率提高
机译:使用具有小图案间距的纳米图案蓝宝石衬底改进GaN基发光二极管