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EFFECT OF ELECTROMAGNETIC FIELDS ON INTEGRATED MICROCIRCUITS

机译:电磁场对集成微电路的影响

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摘要

We consider the results of investigations on the effect of external electromagnetic fields on integrated microcircuits. We have determined the stability thresholds for microcircuits as a function of the electric field strength, the number of pulses to which they are exposed, and the relative orientation of the integrated microcircuit and the electromagnetic field. We have determined the reasons for local degradation of the metallization and we present data on the threshold values for degradation processes.
机译:我们考虑对外部电磁场对集成微电路的影响的调查结果。我们已经确定了微电路的稳定性阈值,该阈值是电场强度,它们所暴露的脉冲数以及集成微电路和电磁场的相对方向的函数。我们已经确定了金属化局部退化的原因,并提供了有关退化过程阈值的数据。

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