机译:退火氮掺杂Cz-Si的应力相关结构
Institute of Electron Technology, Al. Lotnikow 46, 02-668 Warsaw, Poland;
silicon; nitrogen; stress; microstructure; defect;
机译:均匀应力条件下T≥450℃退火的Cz-Si样品的缺陷组织的椭圆光度法测定
机译:高应力退火后的掺Ge的Cz-Si缺陷
机译:Cz-Si退火时氧析出物尺寸和应变对外应力的依赖性
机译:磁场对CZ-Si中位错运动解锁应力的影响,这取决于预退火时间
机译:添加剂对铬电沉积物的结构,内应力,硬度和退火行为的影响。
机译:渗透胁迫下大肠杆菌中生长相依赖性染色体的浓缩和热稳定的类核结构蛋白的重新分布
机译:磁场对Cz-si位错运动解锁应力的影响取决于预退火时间。
机译:非复合预应力混凝土结构在现场和实验室条件下的时间依赖性。