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机译:压应力对硅中Pt-H_2缺陷电子态和原子构型的影响
Division of Industrial Innovation Sciences, Graduate School, Okayama University, 3-1-1 Tsushima-naka, Okayama 700-8530, Japan;
hydrogen; platinum; silicon; DLTS; stress; electronic level; atomic configuration;
机译:压缩原子中的电子配置不同:原子轨道的空间延伸的作用,将电子配置的变化作为一种不等值变换
机译:硅中Pt-H_2配合物应力诱导的取向过程中电荷状态和同位素的影响
机译:离子照射下碳化硅缺陷演化的耦合电子和原子作用
机译:通过第一原理和半血流TB-LMTO方法的金属延长缺陷的电子结构和原子配置
机译:结合数字信号处理方法的微/纳米电子学中新的原子尺度缺陷识别方案的开发,用于研究电检测磁共振中零/低场自旋相关的传输和通过效应。
机译:离子辐照碳化硅中点缺陷簇的原子构型
机译:压缩原子中的电子配置不同:从原子轨道的空间延伸到电子配置变化的作用,作为一种不屈变换
机译:表面处理,某些缺陷和焊接缺陷修复对355-T6ns砂铸件疲劳强度的影响及预应力疲劳对拉伸性能的影响