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机译:Ti-6Al-4V与电镀铜薄膜的主动接合
Department of Chemical and Materials Engineering, University of Cincinnati, M. L. 12, Cincinnati, OH 45221-0012, USA;
active infrared processing; Ti-6Al-4V; joint shear strength; intermetallic compounds; joining affected zone; widmanstatten structure;
机译:Cu2-xS相去除对电镀生长的Cu2ZnSnS4薄膜表面电势的影响
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机译:共电镀Cu-Zn-Sn前驱体的硫化制备Cu_2ZnSnS_4薄膜
机译:钝化层和膜厚对具有恒定微结构的独立式电镀铜薄膜力学性能的影响
机译:脉冲激光沉积生长的外延YBa2Cu3O7-8薄膜和YBa2Cu3O7-8 / PrBa2Cu3O7-8异质结构的超导性能
机译:一步脉冲混合电泳和电镀沉积法方便地生长Cu2ZnSnS4薄膜
机译:电镀铜薄膜的微观结构与力学性能
机译:Tl-Ca-Ba-Cu-O薄膜在有源和无源高频器件中的新应用