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Fabrication and optical properties of Sb-doped CdS nanowires

机译:掺Sb的CdS纳米线的制备及光学性能

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摘要

Sb-doped CdS nanowires with an average diameter of 30 nm and lengths of up to 20-30 mu m are fabricated by chemical vapor approach. The as-synthesized products have a single-crystal phase and grow along the <011> direction. The growth of Sb-doped CdS nanowires is suggested for Quasi-vapor-solid mechanism (QVSM). In particular, the PL spectra show enhancing emission peaks that strongly shift to long wavelength (up to 55 nm redshift) with a doping Sb where Sb-doped CdS nanowires are found to be responsible for the different characteristics. The PL mechanism is explained in detail.
机译:通过化学气相法制备了平均直径为30 nm,长度最大为20-30μm的掺Sb的CdS纳米线。合成后的产物具有单晶相,并沿<011>方向生长。 Sb掺杂的CdS纳米线的生长被建议用于准汽固机制(QVSM)。特别地,PL光谱显示出增强的发射峰,该发射峰通过掺杂Sb强烈地迁移到长波长(高达55 nm红移),其中发现掺Sb的CdS纳米线负责不同的特性。将详细说明PL机制。

著录项

  • 来源
    《Materials Letters》 |2007年第1期|p.119-122|共4页
  • 作者

    ShaoMin Zhou;

  • 作者单位

    Special Functional Material Laboratojy, Henan University, Kaifeng 475001, PR China;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 工程材料学;
  • 关键词

    Quantum wires; Optical properties; II-VI semiconductors;

    机译:量子线;光学性能;II-VI半导体;
  • 入库时间 2022-08-17 13:19:54

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