机译:TFT的Au-Si共晶熔体在600°C以下产生高迁移率的晶体硅膜
SUNY Binghamton, CASP, Binghamton, NY 13902 USA;
SUNY Binghamton, CASP, Binghamton, NY 13902 USA;
Blue Wave Semicond Inc, BW Technol Ctr, 1450 South Rolling Rd,Suite 4064, Blue, MD 21227 USA;
Solar Tect LLC, 416 Long Hill RD E, Briarcliff Manor, NY 10510 USA;
TFT fabrication; Thin-film silicon; Low temperature polysilicon (LTPS);
机译:Al-Si共晶熔体在600℃下异质外延硅膜的生长
机译:在玻璃基板上沉积高结晶度多晶硅膜和高迁移率底栅TFT的制造
机译:液态Au-Si共晶合金的结晶表面相
机译:通过RF-PECVD在低衬底温度下晶体硅晶片上掺杂晶体硅膜(N和P型)的外延生长
机译:通过微波等离子体沉积技术的薄膜硅:非晶硅/晶体硅太阳能电池中的生长和器件以及界面效应。
机译:P和B掺杂在具有高电导率的纳米晶硅薄膜中的电子传输行为的变化
机译:CSCl - NaCl共晶熔体中氯化铌的化学。 1.在600至700摄氏度的温度下,CSCl - NaCl共晶熔体中NbCl3的电动势测量。