机译：勘误表：“在两个倾斜平面上对蚀刻掩模进行构图的方法，用于三维纳米和微加工” [J.真空科学技术。 B 29（6），061604（2011）]
Complex Photonic Systems (COPS), MESA +Institute for Nanotechnology, University of Twente, P.O. Box 217, 7500 AE Enschede, The Netherlands;
Complex Photonic Systems (COPS), MESA +Institute for Nanotechnology, University of Twente, P.O. Box 217, 7500 AE Enschede, The Netherlands;
Complex Photonic Systems (COPS), MESA +Institute for Nanotechnology, University of Twente, P.O. Box 217, 7500 AE Enschede, The Netherlands;
Group Plasma & Materials Processing, Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, P.O. Box 513,5600 MB Eindhoven, The Netherlands and TNO Science and Industry, De Rondom 1, P.O. Box 6235, 5600 HE Eindhoven, The Netherlands;
ASML Netherlands B.V., De Run 6501, 5504 DR Veldhoven, The Netherlands;
Complex Photonic Systems (COPS), MESA + Institute for Nanotechnology, University of Twente, P.O. Box 217, 7500 AE Enschede, The Netherlands;
机译：在两个倾斜平面上对蚀刻掩模进行图案化的方法，用于三维纳米和微加工
机译：勘误：“低压条件下极紫外光刻掩模的保护技术的最新进展” [j。真空科学技术。 B 26，L1（2008年）]
机译：勘误：“基于鳍场效应晶体管的结构中剂量保持和激活的实验研究” [J.真空科学技术。 B 28，C1H5（2010年）]
机译：在两个倾斜平面上对蚀刻掩模进行图案化的方法，用于三维纳米和微加工
机译：勘误：摘要摘要：V / si界面的电子结构。 pROC。第27届国家aVs symp。，pt。二; J. Vac。科学。 TECHNOL。 18（3），903（1981）
