机译:Co / n-poly-Si0.84Ge0.16 / n-Si(100)的固相反应和肖特基接触性能
Fudan Univ, Dept Microelect, Shanghai 200433, Peoples R China;
BARRIER INHOMOGENEITIES; INTERFACIAL REACTIONS; SIGE FILMS; SI1-XGEX; SYSTEM; BORON; COSI2; TEMPERATURES; DEPOSITION; STABILITY;
机译:多层固相反应在n-Si(100)接触上形成三元硅化物Co_(1-x)Ni_xSi_2的肖特基势垒特性
机译:通过共溅射和热反应制备的PtSi / p-Si_1-xGe_x和Pt / p-Si_1-xGe_x肖特基接触的噪声特性比较
机译:退火温度对真空沉积法在n-Si(100)衬底上生长的ZnO薄膜和Pd / ZnO肖特基接触的性能的影响
机译:金属/ SiGe触点的反应和电性能的比较研究
机译:β-GA2O3中的缺陷和肖特基触点:性质,生长方法和辐照的影响
机译:具有不对称金属触点的MoS2肖特基二极管的层依赖性和气体分子吸收特性
机译:使用超薄MgO用于金属-硅(100)触点的肖特基势垒调制