机译:四(二甲基amide)和水/臭氧在原子层上沉积的氧化nium薄膜的电学特性:生长温度,氧气源和沉积后退火的影响
Department of Electronics, ETSI Telecomunicación, University of Valladolid, 47011 Valladolid, Spain;
机译:四(二甲基amide)ha和水中的二氧化ha薄膜的原子层沉积
机译:四氯化ha和四(乙基甲基氨基ha)形成的原子层沉积二氧化ha的物理和电学特性
机译:四(乙基甲基-氨基)Ha和水前体的原子层沉积法表征硅上生长的超薄氧化nium薄膜
机译:四(二甲基氨基)H(TDMAH)和臭氧形成氧化Ha薄膜的原子层沉积
机译:层状,氮掺杂的氧化ha和氧化铝薄膜的开发和特性,可用作宽温度电容器电介质。
机译:利用透射菊池衍射的Si和Zr掺杂氧化Ha薄膜和集成FeFET的结构和电学比较
机译:四(二甲基amide)和水/臭氧在原子层上沉积的氧化nium薄膜的电学特性:生长温度,氧气源和沉积后退火的影响
机译:含有过量碳的还原氧化铪薄膜用于高温氧化保护