机译:高超音速边界层:从头算系数开始的SiO2上的氧复合
Consiglio Nazionale delle Ricerche, 70126 Bari, Italy;
机译:高超声速边界层:从头算系数开始的SiO_2上的氧复合
机译:不同表面的表面复合系数和边界层超音速流计算
机译:晶界是良性的,抑制单层黑色磷中的非抗体电子 - 空穴重组:时间域AB初始研究
机译:高超声速钝体流两温非平衡模型的从头算开始的速率系数
机译:考虑到辐射电子空穴重组单层WSE2和SiO2之间的界面热敏性
机译:粗糙元件对超声边界层接收性的影响由于单频带不同类型的自由流扰动
机译:通过电检测的磁共振和AB Initio计算研究了4H-SiC / SiO2界面处的重组缺陷
机译:具有6马赫的厚湍流边界层的高超音速入口的起始现象