机译:金纳米线中位错成核和强度的原子模拟和连续模型
Sandia National Laboratories, P.O. Box 5800, MS1411, Albuquerque, NM 87185-1411, United States;
Division of Engineering and Applied Science, California Institute of Technology, 1200E. California Blvd, Pasadena, CA 91125, United States;
Los Alamos National Laboratories, Los Alamos, NM 87545, United States;
Division of Engineering and Applied Science, California Institute of Technology, 1200E. California Blvd, Pasadena, CA 91125, United States;
microstructures; dislocations; nucleation;
机译:界面骨折部分的原子/连续模拟Ⅱ:原子/错位/连续模拟
机译:均匀位错成核的能垒:原子模型和连续模型的比较
机译:激光退火处理纳米孔晶格过程中的位错形核和扩展:改进的连续原子模型
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机译:晶体表面壁架位错成核的连续和原子模型
机译:原子模拟研究ReWCo对Ni基单晶高温合金γ相裂纹尖端位错形核的影响
机译:镁单晶中位错环的成核 - 来自原子模拟的