机译:高迁移率范德华半导体Bi_4O_4SeCI_2多阴离子化学的模块化设计
Department of Chemistry University of Liverpool Crown St Liverpool L69 7ZD United Kingdom;
Department of Chemistry University College London 20 Gordon St Kings Cross London WC1H 0AJ United Kingdom;
Department of Physics University of Liverpool Oxford St Liverpool L69 7ZE United Kingdom;
机译:烷基化和非烷基化有机半导体的电子结构和迁移率:范德华相互作用的作用
机译:半导体中点缺陷的稳定性和迁移性中的电子结构和范德华相互作用
机译:APS -APS 2017年3月会议-活动-各向异性高迁移率范德华半导体的磁传输和应变实验
机译:考虑范德华力的飞行头部滑架的动力学特性(基于多层修正的范德华力方程的分析)
机译:在原子上薄van der Waals半导体异质结构中的层间激子
机译:晶圆级生长的范德华半导体原子薄的三维膜
机译:半导体中点缺陷稳定性和迁移率的电子结构和范德华相互作用