机译:阐明分子-电极界面缺陷在大面积结的电荷隧穿特性中的作用
Korea Univ, Dept Chem, Seoul 02841, South Korea;
Korea Univ, Dept Chem, Seoul 02841, South Korea;
Iowa State Univ, Dept Mat Sci & Engn, Ames, IA 50011 USA;
Korea Univ, Dept Chem, Seoul 02841, South Korea;
Korea Univ, Dept Chem, Seoul 02841, South Korea;
Korea Univ, Dept Chem, Seoul 02841, South Korea;
Korea Univ, Dept Chem, Seoul 02841, South Korea;
机译:铜和硫掺杂的ZnO纳米棒核-壳结中的重组隧穿传导:二极管参数对热退火温度的依赖性和界面缺陷的作用
机译:大面积交叉点的电荷隧道分子构象
机译:卤素取代对基于SAM的大面积结的电荷隧穿速率的影响
机译:递增的充电方法,以阐明静电图像缺陷地区OPC表面附近的(+)捕获电荷的作用
机译:分子掺杂的平面隧道结:将分子结构与结电特性相关联。
机译:电子在大面积分子连接中穿过链烷二硫醇自组装单层的电子隧穿
机译:螺旋藻的混合单分子层通过在EGaIn结中的分子-电极界面处进行光致异构化来最大程度地提高隧穿电导率切换。
机译:阐明界面材料特性在微流体封装中的作用。