机译:用于推导台面隔离的小几何形状完全耗尽的SOI MOSFET的3D电位以及前后栅极阈值电压的分析模型
School of Electronic & Electrical Eng., Hongik University, Korea chsuh@hongik.ac.kr;
School of Electronic & Electrical Eng., Hongik University, Korea chsuh@hongik.ac.kr;
3-D analytical SOI MOSFET model; threshold voltage roll-off; short channel effect; narrow width effect, natural length;
机译:小型完全耗尽SOI MOSFET的前,后栅极阈值电压的三维分析建模
机译:凹陷的源极/漏极UTB SOI MOSFET的前,后栅极电位分布和阈值电压的分析模型
机译:完全耗尽的非对称SOI MOSFET的前后栅极阈值电压的简单分析模型
机译:具有高k栅极氧化物的纳米级全耗尽应变SOI MOSFET的分析表面电势和阈值电压模型
机译:45 nm栅极长度n-MOSFET陷阱引起的阈值电压波动仿真的比较分析和分析模型预测。
机译:电压门控钠通道有助于离体人类淋巴管的动作电位和自发收缩
机译:使用3D泊松方程的解析解的全耗尽窄通道SOI MOSFET的表面电势和阈值电压模型
机译:多晶硅栅极对具有薄栅氧化层的亚100nm mOsFET中随机掺杂诱导阈值电压波动的影响