机译:霍尔效应推进器中陶瓷壁结构的等离子腐蚀
University of Alabama, Tuscaloosa, Alabama 35487;
Georgia Institute of Technology, Atlanta, Georgia 30332;
Georgia Institute of Technology, Atlanta, Georgia 30332;
Georgia Institute of Technology, Atlanta, Georgia 30332;
Georgia Institute of Technology, Atlanta, Georgia 30332;
University of Alabama, Tuscaloosa, Alabama 35487;
机译:霍尔效应推进器排放通道壁冲蚀的三维模型
机译:等离子体暴露对霍尔效应推进器用氮化硼陶瓷绝缘子的影响
机译:霍尔效应推进器中用作通道材料的陶瓷在电子冲击下的电子发射率
机译:霍尔推力器陶瓷加速通道腐蚀速率的光谱研究
机译:手动修改和氮化硼陶瓷的等离子暴露以研究霍尔效应推进器等离子通道材料的腐蚀
机译:微波退火对硅衬底中等离子体诱导的缺陷结构的光电性能的影响
机译:SPT-Type Hall推进器的渠道墙侵蚀建模