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机译:InP(001)衬底上自组装InAsSb / InP纳米结构的制备和光学性质
机译:InP(001)衬底上自组装InAsSb / InP纳米结构的制备和光学性质
机译:(001)InP基板上的自组装InAsSb量子点
机译:INP(001)基材上的INASSB量子划伤的生长及其光致发光性能
机译:通过Sb曝光和分级生长技术将基于INP的Inassb / InGaAs纳米结构的形态和光学性能
机译:基于1.55μm的INP的DFB激光集成Mach-Zehnder调制器的光学反馈效果高达100 GBD数据传输=1.55μm基于INP的DFB激光器集成Mach-Zehnder调制器中的光学反馈效果最多100 GBD D.
机译:在InP(100)衬底上生长的GaSb / InGaAs II型量子点的结构和光学性质
机译:在自组装的内部组装中的应变弛豫和声子限制(001)量子破折号:沉积厚度和组成的影响
机译:基于(100)Inp衬底,Inassb量子点激光器的室温连续操作接近2μm