...
首页> 外文期刊>Journal of materials science >Influence of vacuum annealing on the properties of SILAR CuInS_2 thin films and optimization of annealing duration
【24h】

Influence of vacuum annealing on the properties of SILAR CuInS_2 thin films and optimization of annealing duration

机译:真空退火对SILAR CuInS_2薄膜性能的影响及退火时间的优化

获取原文
获取原文并翻译 | 示例

摘要

The structural, compositional, morphological and optical properties of as-deposited and vacuum annealed CuInS_2 thin films prepared by successive ionic layer adsorption and reaction method are studied by X-ray diffractometer, energy dispersive X-ray analyzer, scanning electron microscope and spectrophotometer respectively. The influence of vacuum annealing on the properties of CuInS_2 (CIS) thin films is discussed, annealing duration has also been optimized and reported in this paper.
机译:通过X射线衍射仪,能量色散X射线分析仪,扫描电子显微镜和分光光度计分别研究了通过连续离子层吸附和反应法制备的CuInS_2薄膜的结构,组成,形貌和光学性质。讨论了真空退火对CuInS_2(CIS)薄膜性能的影响,并优化了退火时间并进行了报道。

著录项

  • 来源
    《Journal of materials science》 |2013年第9期|3481-3489|共9页
  • 作者

    B. Maheswari; M. Dhanam;

  • 作者单位

    Department of Physics, Kongunadu Arts and Science College, Coimbatore, Tamil Nadu, India;

    Department of Physics, Kongunadu Arts and Science College, Coimbatore, Tamil Nadu, India;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号