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机译:高温退火改善蓝宝石衬底上溅射AlN膜的晶体质量
Hebei Synlight Crystal Co Ltd, Baoding 071000, Hebei, Peoples R China;
Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China;
Univ Chinese Acad Sci, Beijing 100049, Peoples R China;
机译:脉冲直流反应溅射对氮化蓝宝石衬底上823K沉积AlN膜的溅射压力和结晶品质的影响。
机译:通过UVC发光二极管的高温退火改善纳米图案蓝宝石衬底上的AlN晶体质量和应变管理
机译:ALN梯度夹层设计,用于溅射ALN /蓝宝石衬底上高质量ALN外延膜的生长
机译:通过两步溅射退火制备的蓝宝石高品质的Aln薄膜
机译:氢退火和衬底温度对射频溅射氧化锌薄膜性能的影响
机译:蓝宝石衬底上具有纳米尺度厚AlN成核层的高质量无裂纹AlN薄膜的异质外延生长用于基于AlGaN的深紫外发光二极管
机译:通过磁控溅射和高温退火在石英玻璃和蓝宝石(001)基板上生长的ZnO薄膜的比较研究
机译:基体组成对反应溅射alN薄膜压电响应的影响;薄固体薄膜