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机译:化学气相沉积生长钨膜低温热退火法合成和表征氧化钨纳米棒
Surface Chemistry Laboratory of Electronic Materials, Department of Chemical Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), Hyoja-dong, Nam-gu, Pohang, Kyungbuk 790-784, Korea;
机译:含氧钨(VI)氟代醇盐前驱体的氧化钨薄膜和纳米棒的气溶胶辅助化学气相沉积
机译:氧化钨薄膜和纳米棒通过气溶胶辅助化学气相沉积使用κ(2)-β-二酮酸酯和β-酮酸酯钨(VI)氧代烷氧基化物前驱体生长
机译:新型钨(VI)胍基配合物:氮化钨薄膜的合成,表征及其在金属有机化学气相沉积中的应用
机译:低温N / sub 2 / O退火的氧化物和化学氧化物在减少p / sup + /多晶硅钨极栅极的硼渗透和栅极损耗方面的应用
机译:通过等离子体增强化学气相沉积合成碳和钨基薄膜。
机译:WNxCy薄膜化学气相沉积前驱体钨基氨基胍基胍基钨配合物的合成与表征
机译:新钨(VI)胍蛋白基复合物:合成,表征和在金属 - 有机化学气相沉积钨氮化物薄膜的应用