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机译:低温分子束外延生长的Ge / Si异质结构的微观结构和光学性质
CIC energiGUNE, Albert Einstein 48, Minano 01510, Alava, Spain;
NRC Kurchatov Institute, pl. akademika Kurchatova, 1, 123182, Moscow, Russia;
NRC Kurchatov Institute, pl. akademika Kurchatova, 1, 123182, Moscow, Russia;
NRC Kurchatov Institute, pl. akademika Kurchatova, 1, 123182, Moscow, Russia;
Shubnikov Institute of Crystallography RAS, Leninsky pr. 59, 117333, Moscow, Russia;
Lebedev Physical Institute RAS, Leninsky pr.53,119991, Moscow, Russia;
Lebedev Physical Institute RAS, Leninsky pr.53,119991, Moscow, Russia;
机译:低温退火对分子束表观生长的p型镉-汞-碲异质结构的电学性质的影响
机译:低温分子束外延生长的Ⅳ族铁磁半导体Ge_(1-x)Fe_x的磁光特性
机译:低温(300-400℃)分子束外延生长的异质结构Ge_xSi_(1-x)/ Si(001):错配位错传播
机译:低温退火对分子束外延生长异质结构p-HgCdTe性能的影响
机译:通过分子束外延生长的光学器件的自组装量子点的微观结构和光学性质。
机译:分子束外延生长量子点异质结构的性质及应用
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机译:分子束外延和反应沉积外延生长Cosi2 / si异质结构的均匀性和结晶质量