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机译:基于GaN的LED,采用接触转移和掩模嵌入式光刻技术并进行原位N $ _ {2} $处理
Department of Electrical Engineering, National University of Tainan, Tainan, Taiwan;
GaN; light-emitting diodes (LEDs); nanoimprint; treatment;
机译:通过接触传递和掩模嵌入式光刻和CL_2 / N_2等离子体蚀刻的GaN的LED具有纳米图案
机译:接触转移掩膜光刻技术研究蓝宝石衬底上生长的GaN基发光二极管
机译:通过接触转移和掩膜嵌入光刻制备的AlGaInP LED
机译:通过接触传递和掩模嵌入式光刻制造的高频表面声波(SAW)器件
机译:超越传统的基于c面的GaN发光二极管:对LED在半极性方向上的系统研究。
机译:阳极氧化铝图案和纳米压印光刻技术从GaN基绿色发光二极管中提取光的研究
机译:通过P-GaN表面处理AR等离子体处理的GaN基LED输出功率的增强
机译:油污沉积物海岸线计划的原位处理。 1996斯瓦尔巴特海岸线实地试验