机译:具有垂直FET的DRAM布局及其形成方法已获专利
Electronics; Semiconductor; Micron Technology Inc..;
机译:垂直旋转木马和使用垂直旋转木马的垂直运输方法已获专利
机译:电路布局方法和半导体设备快速热退火方法已获专利
机译:为操作非易失性DRAM的方法和设备颁发了专利
机译:基于人因工程的户外安全路标指示牌布局信息设计方法
机译:DRAM / eDRAM和3D-DRAM的省电方法,利用工艺变化,温度变化,设备降级和内存访问工作负载变化,以及使用具有服务质量的3D-DRAM的创新的异构存储管理方法。
机译:专利信息检索:一种方法和分析纳米技术专利合作
机译:用于1T-DRAM应用的非对称源/漏极的垂直纳米线MOSFET的记忆窗口特性
机译:Gaas mmIC混频器,用于8-12GHz,基于0.5微米栅极长度的D-mEsFETs。第1卷。设计和布局(Gaas mmIC混频器,8-12GHz,Gerealiseered met 0,5微米栅极冷却D-mEsFET.selel 1. Ontwerp en Layout)。