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Patent Issued for DRAM Layout with Vertical FETs and Method of Formation

机译:具有垂直FET的DRAM布局及其形成方法已获专利

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摘要

2013 MAR 20 (VerticalNews) -- By a News Reporter-Staff News Editor at Journal of Engineering -- FromnAlexandria, Virginia, VerticalNews journalists report that a patent by the inventor Abbott, Todd R. (Boise,nID), filed on May 17, 2011, was cleared and issued on March 5, 2013.
机译:2013年3月20日(VerticalNews)-由Engineering Journal的新闻记者-Staff新闻编辑-VerticalnNews记者报道,弗吉尼亚州弗罗姆州亚历山大市,发明人Abbott Todd R.( ,2011年已清除,并于2013年3月5日发布。

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