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机译:使用叔丁基ar作为受体源的P-on-n和n-on-p Hg_(1-x)CD_xTe结光电二极管的金属有机气相外延原位生长
Electrical, Computer, and Systems Engineering Department, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY 12180;
as-doping; direct alloy growth; HgCdTe; infrared detectors; metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE);
机译:Hg_(1-x)Cd_xTe P-on-n异质结构光电二极管的室温表征
机译:通过金属化学气相沉积的砷掺杂HG_(1-X)CD_XTE(X〜0.4)的生长
机译:基于等离子诱导型转换形成的n-on-p结的新型Hg_(1-x)Cd_xTe中波长红外光伏探测器中暗电流的表征
机译:Hg_(1-x)Cd_xTe通过VLWIR光电二极管用于SWIR的液相外延生长研究进展
机译:金属有机气相外延生长过程中In(x)Ga(1-x)N / In(y)Ga(1-y)N多量子阱结构的稳定性
机译:有机金属气相外延过程中GaN(0001)和(000-1)的CH4吸附概率及其与膜中碳污染的关系
机译:新型环戊二烯基铒源金属有机气相外延沉积铒掺杂Gaas的生长研究
机译:金属有机气相外延1986.金属有机气相外延国际会议论文集(第3期)于1986年4月13日至17日在加利福尼亚州环球城举行