机译:射频线圈位置对切克劳斯基晶体生长中氧化物熔体表面辐条图案的影响
Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan;
A1. spoke pattern; A1. marangoni instability; A1. computer simulation; A2. czochralski method; B1. oxides;
机译:内部辐射热传递对切克劳斯基晶体生长中氧化物熔体表面辐条图案的影响
机译:在锗单晶生长的不同阶段的RF Czochralski炉的全局模拟,第II部分:研究坩埚相对位置对等温,流场和热弹性应力的影响
机译:对“氧化物单晶直拉生长过程中晶体熔体界面形状的控制”的论文的更正
机译:Czochralski单晶硅生长过程中熔体表面温度的无数据驱动的无模型自适应滑模控制
机译:布里奇曼技术对凝固过程中凝固参数对熔体-固相界面位置的影响
机译:湿度和表面对布洛芬熔融结晶的影响
机译:Czochralski方法生长炉中Si晶体熔体表面水平的在线测量技术
机译:碳化硅的表面科学研究:氧化,晶体生长和表面结构分析。