机译:Si(1-y)C_y和Si(1-x-y)Ge_xC_y在GSMBE期间的动力学和表面偏析
Department of Physics and Centre for Electronic Materials and Devices, Imperial College of Science Technology and Medicine, Blackett Laboratory, Prince Consort Road, London SW7 2BW, UK;
A1. adsorption; A1. segregation; A3. molecular beam epitaxy; B1. germanium silicon alloys; B2. semiconducting silicon compounds; B3. heterojunction semiconductor device;
机译:Si_(1-y)C_y和Si_(1-x-y)Ge_xC_y的GSMBE过程中碳掺入的影响:生长动力学和偏析
机译:应变Si_(1-x)Ge_x,Si_(1-x-y)Ge_xC_y和Si_(1-y)C_y合金材料-器件应用中的镍硅化技术
机译:IV型应变合金的带偏移预测:Si(001)上的Si_(1-x-y)Ge_x C_y和Si_1-z Ge_z(001)上的Si_1-x Ge_x
机译:用分子束外延生长的Si_(1-X-Y)Ge_xc_y和Si_(1-y)C_y层的TEM表征在(001)Si基板上
机译:分子氧在Ru(001)上的吸附动力学和动力学,以及气相原子氧在预先覆盖的Pt(111)Ir(111)和Ru(001)表面上的反应动力学。
机译:富GaAs(001)-4×6和As富GaAs(001)-2×4表面上三甲基铝原子层沉积的原子-原子相互作用:同步辐射辐射光发射研究
机译:表面活性剂辅助分子束外延生长Si / Si_(1-y)C_y超晶格的表征