机译:溶Marangoni对流控制InSb晶体在布里奇曼水平生长过程中的熔体界面形状
Research Institute of Electronics, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Hamamatsu 432-8011, Japan;
A1. convection; A1. directional solidification; A1. fluid flows; A1. mass transfer; B2. semiconducting indium compounds;
机译:对“氧化物单晶直拉生长过程中晶体熔体界面形状的控制”的论文的更正
机译:直拉晶体生长过程中晶体熔体界面形状的控制
机译:SiC晶体顶晶溶液生长中非轴对称溶液对流控制界面形状
机译:Marangoni对流对水平Bridgman方法的INSB单晶生长的影响
机译:蛋白晶体生长过程中Marangoni对流和振动诱发的晶体运动的实验研究。
机译:对流存在下具有不同晶体各向异性对称性的稳定枝晶生长的热固溶和动力学模式
机译:校正纸张“氧化钕溶液晶体熔体界面形状控制”。