机译:结构性质对MBE生长InN的电导率和发光的影响
Univ Calif Berkeley, Lawrence Berkeley Natl Lab, Div Sci Mat, Berkeley, CA 94720 USA;
crystal structure; impurities in thin films; X-ray diffraction; molecular beam epitaxy; indium nitride; MOLECULAR-BEAM EPITAXY; INDIUM NITRIDE; BAND-GAP; HETEROSTRUCTURES; STRAIN; ALLOYS; ALN;
机译:通过RF-MBE在InN模板上生长的In-InGaN层的结构和发光特性
机译:MBE生长的InN纳米线的光致发光和固有性质
机译:MBE在GaN上生长InN的结构和传输性能
机译:由MBE在GaN上生长的Inn的结构和运输特性
机译:MBE-VLS生长的硒化锌和硫化锌纳米线:生长机理和光致发光特性。
机译:通过射频磁控溅射生长的富硅Al2O3膜:结构和光致发光特性与退火处理的关系
机译:MBE生长的InN纳米线的光致发光和本征特性