机译:硅掺杂对InGaN / GaN量子阱纳米结构的影响
Natl Taiwan Univ, Grad Inst Electroopt Engn, Sect 4, Taipei 106, Taiwan;
segregation; quantum wells; nitrides; light emitting diodes; SI-DOPED BARRIERS; OPTICAL-PROPERTIES; SAPPHIRE; DYNAMICS; STRAIN; LAYERS; INN;
机译:不同硅掺杂条件下绿色发光InGaN / GaN量子阱结构的纳米结构和载流子定位行为
机译:InGaN / GaN量子点纳米结构掺杂的平板中的慢光的红外控制
机译:在四能级InGaN / GaN量子点纳米结构掺杂的缺陷介质中通过太赫兹信号辐射控制群速度
机译:热退火对硅掺杂InGaN / GaN量子阱结构的影响
机译:极性InGaN / GaN量子阱结构的光学研究
机译:掺杂Si的InGaN底层对不同数量的量子阱的InGaN / GaN量子阱结构的光学性能的影响
机译:掺Si预层对InGaN / GaN单量子阱结构光学性能的影响