机译:MBE生长的亚稳态Ⅱ族硫化物:表面形态和晶体结构
School of Engineering and Physical Sciences, Brewster Building, Heriot-Watt University, Edinburgh, EH14 4AS, UK;
A1. Low-dimensional structures; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Sulfides; B2. Semiconducting Ⅱ-Ⅵ materials;
机译:MBE工艺在邻近Si(001)衬底上生长的GaAs薄膜的表面形态和晶体学性质
机译:固态As_4源金辅助MBE生长的GaAs纳米线的形貌和晶体结构控制
机译:MBE生长的InN的形貌和表面电子结构
机译:浓度对GaAs衬底生长的InGaAs-GaAs异质结构表面形态的影响
机译:MBE生长的纳米级铂/氟化钙/硅(111)结构的热电子传输和表面形态研究。
机译:沉积在单晶表面上的铁纳米颗粒的结构,形态和磁性
机译:mBE的形状演变在高指数上增长了si $ _ {1-x} $ Ge $ _ {x} $结构 si(5 5 12)表面:温度依赖性研究