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机译:通过使用电磁切克劳斯基方法(EMCZ)对Si晶体生长过程中的晶体熔体界面形状进行大幅度修改
Gakushuin Univ, Dept Phys, Tokyo 1718588, Japan;
W Univ Timisoara, Fac Phys, Timisoara 300223, Romania;
Fraunhofer Inst IISB, Crystal Growth Lab, D-91058 Erlangen, Germany;
Univ Erlangen Nurnberg, Dept Mat Sci, D-91058 Erlangen, Germany;
computer simulation; fluid flow; Czochralski method; semiconducting silicon; NUMERICAL-SIMULATION; SILICON;
机译:对“氧化物单晶直拉生长过程中晶体熔体界面形状的控制”的论文的更正
机译:直拉晶体生长过程中晶体熔体界面形状的控制
机译:Czochralski硅晶体生长过程中隔热罩形状对熔体界面氧杂质分布影响的数值研究
机译:通过电磁Czochralski(EMCZ)方法控制Si晶体中的氧浓度
机译:切克劳斯基方法对钇铝石榴石晶体生长过程中热和动量传递的数值分析。
机译:强大且可扩展的微流体计量方法可通过自由界面扩散实现蛋白质晶体的生长
机译:校正纸张“氧化钕溶液晶体熔体界面形状控制”。